M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29W800FT70ZA3SE par Micron Technology et M29W800FB70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Actif
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $0,91
Type de mémoire NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
Taille de mémoire 8 Mbit —
Organisation de la mémoire 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel —
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Boîtier 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Type d'interface — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

Fiches techniques et ressources

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