MMA25312BT1 vs MMA20312BT1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MMA25312BT1 von NXP Semiconductors und MMA20312BT1 von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MMA25312BT1 MMA20312BT1
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,65 $4,85
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Topologie 2-stage linear driver amplifier 2-stage Class AB cascade
Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz 1800 MHz to 2200 MHz
Small-Signal Gain 26 dB 27.2 dB
Saturated Output Power 31 dBm (typ) —
Noise Figure 3.8 dB at 2.5 GHz —
Versorgungsspannung 3 V to 5 V 5 V
Versorgungsstrom 124 mA (typ) —
Test Frequency 2.5 GHz —
Betriebstemperatur -40 °C to +85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RF Type WiMAX, WLAN —
RoHS-Status Compliant Compliant (per NXP product page)
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Product Type — RF Linear Power Amplifier
Saturated Output Power (Psat) — 30.5 dBm (~1.1 W)
Supply Current (Idq) — 70 mA typical
Gehäuse / Bauform — 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad
RF Input/Output Match — Internal 50 ohm
Supported RF Standards — LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS
Lead-Free — Yes
Packaging — Tape & Reel

Datenblätter & Ressourcen

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