MMA25312BT1 vs MMA20312BT1 비교
다음의 상세 나란히 비교: MMA25312BT1 제조: NXP Semiconductors 및 MMA20312BT1 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
NXP Semiconductors
MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP
MMA25312BT1 ✓ 활성NXP Semiconductors
MMA20312BT1 - 2-Stage InGaP HBT Linear Amplifier, 1.8-2.2 GHz | NXP
MMA20312BT1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MMA25312BT1 | MMA20312BT1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| 카테고리 | RF Amplifiers | RF Amplifiers |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.65 | $4.85 |
| Technology | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) | InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) |
| 토폴로지 | 2-stage linear driver amplifier | 2-stage Class AB cascade |
| Frequency Range | 2300 MHz to 2700 MHz | 1800 MHz to 2200 MHz |
| Small-Signal Gain | 26 dB | 27.2 dB |
| Saturated Output Power | 31 dBm (typ) | — |
| Noise Figure | 3.8 dB at 2.5 GHz | — |
| 공급 전압 | 3 V to 5 V | 5 V |
| 공급 전류 | 124 mA (typ) | — |
| Test Frequency | 2.5 GHz | — |
| 동작 온도 | -40 °C to +85 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RF Type | WiMAX, WLAN | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per NXP product page) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Product Type | — | RF Linear Power Amplifier |
| Saturated Output Power (Psat) | — | 30.5 dBm (~1.1 W) |
| Supply Current (Idq) | — | 70 mA typical |
| 패키지 / 케이스 | — | 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad |
| RF Input/Output Match | — | Internal 50 ohm |
| Supported RF Standards | — | LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tape & Reel |