MMA25312BT1 vs MMA20312BT1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMA25312BT1 por NXP Semiconductors e MMA20312BT1 por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MMA25312BT1 MMA20312BT1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria RF Amplifiers RF Amplifiers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,65 $4,85
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Topologia 2-stage linear driver amplifier 2-stage Class AB cascade
Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz 1800 MHz to 2200 MHz
Small-Signal Gain 26 dB 27.2 dB
Saturated Output Power 31 dBm (typ) —
Noise Figure 3.8 dB at 2.5 GHz —
Tensão de alimentação 3 V to 5 V 5 V
Corrente de alimentação 124 mA (typ) —
Test Frequency 2.5 GHz —
Temperatura de operação -40 °C to +85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RF Type WiMAX, WLAN —
Status RoHS Compliant Compliant (per NXP product page)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Product Type — RF Linear Power Amplifier
Saturated Output Power (Psat) — 30.5 dBm (~1.1 W)
Supply Current (Idq) — 70 mA typical
Encapsulamento / Caixa — 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad
RF Input/Output Match — Internal 50 ohm
Supported RF Standards — LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS
Lead-Free — Yes
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação