MMA25312BT1 vs MMA20312BT1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMA25312BT1 par NXP Semiconductors et MMA20312BT1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MMA25312BT1 MMA20312BT1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,65 $4,85
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Topologie 2-stage linear driver amplifier 2-stage Class AB cascade
Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz 1800 MHz to 2200 MHz
Small-Signal Gain 26 dB 27.2 dB
Saturated Output Power 31 dBm (typ) —
Noise Figure 3.8 dB at 2.5 GHz —
Tension d'alimentation 3 V to 5 V 5 V
Courant d'alimentation 124 mA (typ) —
Test Frequency 2.5 GHz —
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RF Type WiMAX, WLAN —
Statut RoHS Compliant Compliant (per NXP product page)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Product Type — RF Linear Power Amplifier
Saturated Output Power (Psat) — 30.5 dBm (~1.1 W)
Supply Current (Idq) — 70 mA typical
Boîtier / Format — 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad
RF Input/Output Match — Internal 50 ohm
Supported RF Standards — LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS
Lead-Free — Yes
Packaging — Tape & Reel

Fiches techniques et ressources

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