MMA25312BT1 vs MMA20312BT1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MMA25312BT1 por NXP Semiconductors y MMA20312BT1 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MMA25312BT1 MMA20312BT1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría RF Amplifiers RF Amplifiers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,65 $4,85
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Topología 2-stage linear driver amplifier 2-stage Class AB cascade
Frequency Range 2300 MHz to 2700 MHz 1800 MHz to 2200 MHz
Small-Signal Gain 26 dB 27.2 dB
Saturated Output Power 31 dBm (typ) —
Noise Figure 3.8 dB at 2.5 GHz —
Tensión de alimentación 3 V to 5 V 5 V
Corriente de alimentación 124 mA (typ) —
Test Frequency 2.5 GHz —
Temperatura de funcionamiento -40 °C to +85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
RF Type WiMAX, WLAN —
Estado RoHS Compliant Compliant (per NXP product page)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Product Type — RF Linear Power Amplifier
Saturated Output Power (Psat) — 30.5 dBm (~1.1 W)
Supply Current (Idq) — 70 mA typical
Encapsulado / Carcasa — 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad
RF Input/Output Match — Internal 50 ohm
Supported RF Standards — LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS
Lead-Free — Yes
Packaging — Tape & Reel

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