MPC8314ECVRAFDA vs MPC8314CVRAGDA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MPC8314ECVRAFDA von NXP Semiconductors und MPC8314CVRAGDA von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MPC8314ECVRAFDA MPC8314ECVRAFDA - PowerQUICC II Pro SoC, 333MHz, 620-HBGA | NXP

MPC8314ECVRAFDA - PowerQUICC II Pro SoC, 333MHz, 620-HBGA | NXP

MPC8314ECVRAFDA ✓ Aktiv
NXP Semiconductors
MPC8314CVRAGDA MPC8314CVRAGDA - PowerQUICC II Pro 400MHz SoC | NXP | 620-HBGA

MPC8314CVRAGDA - PowerQUICC II Pro 400MHz SoC | NXP | 620-HBGA

MPC8314CVRAGDA ⚠ Letzte Bestellmöglichkeit

Spezifikationsvergleich

Parameter MPC8314ECVRAFDA MPC8314CVRAGDA
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie Microcontrollers Microcontrollers
Lebenszyklusstatus Aktiv Letzte Kaufgelegenheit
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $25,40 $19,20
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Product Type PowerQUICC II Pro Communications Processor —
Core Architecture Power Architecture e300c3 PowerPC e300c3
Datenbusbreite 32-bit 32 bit
Maximum CPU Clock Frequency 333 MHz —
L1 Instruction Cache 16 KB —
L1 Data Cache 16 KB —
Memory Controller DDR1 and DDR2 SDRAM DDR1/DDR2, 32-bit
Gigabit Ethernet MACs 2 (RGMII, MII/RGMII) —
PCI Interface 32-bit PCI v2.3 + PCI Express PCI v2.3, 32-bit, up to 66 MHz
USB Interface USB 2.0 Full-Speed / Low-Speed —
Security Engine SEC 2.0 (DES/3DES/AES/SHA) —
TDM Interface Yes (TDM) TDM (T1/E1)
Betriebstemperaturbereich -40C to +105C (junction) —
Gehäuse 620-HBGA (29x29 mm) 620-HBGA (HCTE-BGA, 29x29 mm)
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount, 1.0 mm ball pitch
Silicon Revision Rev 1 —
RoHS-Status See _validation_note Compliant
Core Count — 1
Maximale Taktfrequenz — 400 MHz
Instruction Cache — 16 KB
Data Cache — 16 KB
Ethernet — 2x 10/100/1000 Mbps GMII / RGMII
USB — USB 2.0 (Host/Device/OTG)
Encryption Engine — Not present (C-variant, non-encrypt)
Process Technology — 90 nm CMOS
Betriebstemperatur — -40C to +105C
Versorgungsspannung — Core 1.0 V, I/O 3.3 V (typical)
MSL-Level — 3 (per JEDEC J-STD-020)

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