MPC8314ECVRAFDA vs MPC8314CVRAGDA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MPC8314ECVRAFDA от NXP Semiconductors и MPC8314CVRAGDA от NXP Semiconductors. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

NXP Semiconductors
MPC8314ECVRAFDA MPC8314ECVRAFDA - PowerQUICC II Pro SoC, 333MHz, 620-HBGA | NXP

MPC8314ECVRAFDA - PowerQUICC II Pro SoC, 333MHz, 620-HBGA | NXP

MPC8314ECVRAFDA ✓ Активен
NXP Semiconductors
MPC8314CVRAGDA MPC8314CVRAGDA - PowerQUICC II Pro 400MHz SoC | NXP | 620-HBGA

MPC8314CVRAGDA - PowerQUICC II Pro 400MHz SoC | NXP | 620-HBGA

MPC8314CVRAGDA ⚠ Последняя закупка

Сравнение характеристик

Параметр MPC8314ECVRAFDA MPC8314CVRAGDA
Бренд NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Категория Microcontrollers Microcontrollers
Статус жизненного цикла Активен Последняя закупка
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $25,40 $19,20
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Product Type PowerQUICC II Pro Communications Processor —
Core Architecture Power Architecture e300c3 PowerPC e300c3
Разрядность шины данных 32-bit 32 bit
Maximum CPU Clock Frequency 333 MHz —
L1 Instruction Cache 16 KB —
L1 Data Cache 16 KB —
Memory Controller DDR1 and DDR2 SDRAM DDR1/DDR2, 32-bit
Gigabit Ethernet MACs 2 (RGMII, MII/RGMII) —
PCI Interface 32-bit PCI v2.3 + PCI Express PCI v2.3, 32-bit, up to 66 MHz
USB Interface USB 2.0 Full-Speed / Low-Speed —
Security Engine SEC 2.0 (DES/3DES/AES/SHA) —
TDM Interface Yes (TDM) TDM (T1/E1)
Диапазон рабочих температур -40C to +105C (junction) —
Корпус 620-HBGA (29x29 mm) 620-HBGA (HCTE-BGA, 29x29 mm)
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount, 1.0 mm ball pitch
Silicon Revision Rev 1 —
Статус RoHS See _validation_note Compliant
Core Count — 1
Максимальная тактовая частота — 400 MHz
Instruction Cache — 16 KB
Data Cache — 16 KB
Ethernet — 2x 10/100/1000 Mbps GMII / RGMII
USB — USB 2.0 (Host/Device/OTG)
Encryption Engine — Not present (C-variant, non-encrypt)
Process Technology — 90 nm CMOS
Рабочая температура — -40C to +105C
Напряжение питания — Core 1.0 V, I/O 3.3 V (typical)
Уровень MSL — 3 (per JEDEC J-STD-020)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену