MT40A512M16JY-083E vs K4A8G165WG-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16JY-083E von Micron Technology und K4A8G165WG-BCWE von Samsung Electro-Mechanics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ AktivSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16JY-083E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,85 | $29,53 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | — |
| Datenrate | 2400 MT/s (speed grade -083E) | 3200 Mbps |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8 x 14 mm) | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| Halogenfrei | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Lebenszyklusstatus | — | Active |