MT40A512M16JY-083E vs K4A8G165WG-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16JY-083E от Micron Technology и K4A8G165WG-BCWE от Samsung Electro-Mechanics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ АктивенSamsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M16JY-083E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,85 | $29,53 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | — |
| Скорость передачи данных | 2400 MT/s (speed grade -083E) | 3200 Mbps |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| Корпус | 96-FBGA (8 x 14 mm) | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| Без галогенов | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| Размер памяти | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Статус жизненного цикла | — | Active |