MT40A512M16JY-083E vs K4A8G165WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16JY-083E 제조: Micron Technology 및 K4A8G165WG-BCWE 제조: Samsung Electro-Mechanics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16JY-083E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.85 | $29.53 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | — |
| 데이터 속도 | 2400 MT/s (speed grade -083E) | 3200 Mbps |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8 x 14 mm) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| 할로겐 프리 | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +85°C |
| Operating Current | — | 20 mA |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Row Cycle Time (tRC) | — | 19 ns |
| Technology | — | B-die |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 수명 주기 상태 | — | Active |