MT40A512M16JY-083E vs K4A8G165WG-BCWE Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16JY-083E por Micron Technology e K4A8G165WG-BCWE por Samsung Electro-Mechanics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ Ativo
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16JY-083E K4A8G165WG-BCWE
Marca Micron Technology Samsung Electro-Mechanics
Categoria DRAM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,85 $29,53
Tipo de memória DDR4 SDRAM (Automotive) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organização da memória 512M x 16 —
Clock Frequency 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) —
Taxa de dados 2400 MT/s (speed grade -083E) 3200 Mbps
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
Refresh Structure 8192-cycle refresh —
Refresh Window 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C —
Encapsulamento 96-FBGA (8 x 14 mm) FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
ECCN EAR99 —
Livre de halogênio Compliant —
Country of Origin China —
Tamanho da memória — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Tensão de alimentação — 1.2 V
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +85°C
Operating Current — 20 mA
Memory Interface — Parallel
Row Cycle Time (tRC) — 19 ns
Technology — B-die
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Status do ciclo de vida — Active

Fichas técnicas e recursos

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