MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16TB-062E von Micron Technology und NT5AD512M16B4-HR von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16TB-062E | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $60,00 | $43,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 1600 MHz (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | 1.2V ±60mV | — |
| Supply Voltage - VPP | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Density | — | 8Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.2V |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |