MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16TB-062E メーカー: Micron Technology および NT5AD512M16B4-HR メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ 生産中
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16TB-062E NT5AD512M16B4-HR
ブランド Micron Technology Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $60.00 $43.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
データレート 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 Mbps
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
動作温度範囲 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball TFBGA
実装タイプ Surface Mount —
インターフェース Parallel —
特長 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS ステータス Compliant —
REACH Status Compliant —
Density — 8Gb
電源電圧 — 1.2V
Temperature Range — 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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