MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E por Micron Technology y NT5AD512M16B4-HR por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16TB-062E | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $60,00 | $43,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 1600 MHz (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | 1.2V ±60mV | — |
| Supply Voltage - VPP | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Density | — | 8Gb |
| Tensión de alimentación | — | 1.2V |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |