MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E par Micron Technology et NT5AD512M16B4-HR par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16TB-062E | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $60,00 | $43,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 1600 MHz (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | 1.2V ±60mV | — |
| Supply Voltage - VPP | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Interface | Parallel | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Density | — | 8Gb |
| Tension d'alimentation | — | 1.2V |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |