MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16TB-062E от Micron Technology и NT5AD512M16B4-HR от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M16TB-062E | NT5AD512M16B4-HR |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $60,00 | $43,10 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1600 MHz (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | 1.2V ±60mV | — |
| Supply Voltage - VPP | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) | — |
| Корпус | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Особенности | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Density | — | 8Gb |
| Напряжение питания | — | 1.2V |
| Temperature Range | — | 0°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |