MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107:P von Micron Technology und NT5CC256M16ER-FLNA von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-FLNA |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $16,00 | $22,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Datenrate | 1866 MT/s | 1866 Mbps (max) |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage | 1.35V | 1.5 V |
| CAS-Latenz | 13 | Programmable (e.g., 13, 14) |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (commercial/industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto and self refresh |
| RoHS | — | Compliant |