MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16TW-107:P por Micron Technology e NT5CC256M16ER-FLNA por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-FLNA |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Nanya Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $16,00 | $22,00 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Taxa de dados | 1866 MT/s | 1866 Mbps (max) |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage | 1.35V | 1.5 V |
| Latência CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 14) |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Encapsulamento | 96-FBGA (8x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0°C to +95°C (commercial/industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto and self refresh |
| RoHS | — | Compliant |