MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16TW-107:P par Micron Technology et NT5CC256M16ER-FLNA par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-FLNA |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $16,00 | $22,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 MT/s | 1866 Mbps (max) |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage | 1.35V | 1.5 V |
| Latence CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 14) |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (commercial/industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto and self refresh |
| RoHS | — | Compliant |