MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA 比較

詳細な並列比較: MT41K256M16TW-107:P メーカー: Micron Technology および NT5CC256M16ER-FLNA メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ 生産中
Nanya Technology
NT5CC256M16ER-FLNA NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT41K256M16TW-107:P NT5CC256M16ER-FLNA
ブランド Micron Technology Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $16.00 $22.00
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
データレート 1866 MT/s 1866 Mbps (max)
電源電圧 1.35V 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
I/O Voltage 1.35V 1.5 V
CASレイテンシ 13 Programmable (e.g., 13, 14)
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
パッケージ 96-FBGA (8x14mm) 96-ball TFBGA
動作温度 0°C to +95°C —
実装タイプ Surface Mount —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Density — 4 Gb
メモリ構成 — 256M x 16
Number of Terminals — 96
動作温度範囲 — 0°C to +95°C (commercial/industrial)
Number of Banks — 8
Refresh — Auto and self refresh
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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