MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16TW-107:P por Micron Technology y NT5CC256M16ER-FLNA por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16TW-107:P ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-FLNA |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $16,00 | $22,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | 1866 Mbps (max) |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage | 1.35V | 1.5 V |
| Latencia CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 14) |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (commercial/industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto and self refresh |
| RoHS | — | Compliant |