NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16B4-HR von Nanya Technology und MT40A512M16TB-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16B4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $43,10 | $60,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.2V | — |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |