NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16B4-HR 제조: Nanya Technology 및 MT40A512M16TB-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16B4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $43.10 | $60.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 공급 전압 | 1.2V | — |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 특징 | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |