NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16B4-HR メーカー: Nanya Technology および MT40A512M16TB-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16B4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $43.10 | $60.00 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 電源電圧 | 1.2V | — |
| パッケージ | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| データレート | 3200 Mbps | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| インターフェース | — | Parallel |
| 特長 | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |