NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16B4-HR от Nanya Technology и MT40A512M16TB-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5AD512M16B4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $43,10 | $60,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Напряжение питания | 1.2V | — |
| Корпус | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Размер памяти | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Диапазон рабочих температур | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |