NT5AD512M16B4-HR vs MT40A512M16TB-062E Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16B4-HR por Nanya Technology y MT40A512M16TB-062E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16B4-HR | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $43,10 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.2V | — |
| Encapsulado | 96-ball TFBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Interfaz | — | Parallel |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |