NT5AD512M16C4-HR vs K4A8G165WB-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16C4-HR bằng Nanya Technology và K4A8G165WB-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech
NT5AD512M16C4-HR ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | NT5AD512M16C4-HR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | DRAM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tổ chức | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C | 0C to +85C |
| Hộp | FBGA-96 (TFBGA) | 96FBGA |
| Số lượng chân | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Supported (DM per x16 lane) |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount (BGA) |
| Giao diện | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |