NT5AD512M16C4-HR vs K4A8G165WB-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16C4-HR द्वारा Nanya Technology और K4A8G165WB-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16C4-HR | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| डेटा दर | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 2666 Mbps |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | 0C to +85C |
| पैकेज | FBGA-96 (TFBGA) | 96FBGA |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | Supported (DM per x16 lane) |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Supported |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Die Generation | — | B-die |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Dynamic On-Die Termination | — | Supported |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |