NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-DINA von Nanya Technology und K4B4G1646D-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $2,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Datenrate | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS-Latenz | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Gehäuse | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| Schnittstelle | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |