NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CP-DINA от Nanya Technology и K4B4G1646D-BYK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,90 | $2,90 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Задержка CAS | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Корпус | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| Интерфейс | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Количество выводов | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |