NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 对比
详细并排对比 NT5CC256M16CP-DINA 出自 Nanya Technology 和 K4B4G1646D-BYK0 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $5.90 | $2.90 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| 存储组织 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 电源电压 | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| 数据速率 | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS 延迟 | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| 封装 | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| 工作温度范围 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 无卤 | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| 接口 | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| 安装类型 | Surface Mount | — |
| 工作温度 | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| 无卤 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| 引脚数 | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |