NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DINA par Nanya Technology et K4B4G1646D-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $2,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Débit de données | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Latence CAS | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Boîtier | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| Interface | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |