NT5CC256M16CP-DINA vs K4B4G1646D-BYK0 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CP-DINA 제조: Nanya Technology 및 K4B4G1646D-BYK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16CP-DINA | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $2.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (DDR3L), backward compatible to 1.5 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| CAS 레이턴시 | 11 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| 패키지 | TFBGA-96, 9 x 13 mm, 0.8 mm pitch | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| 인터페이스 | CMOS | — |
| Access Time | 0.225 ns | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | — | 0°C to 85°C |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| 핀 수 | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |