NT6AN8T6WBJ1B1 vs K4A8G165WC-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology und K4A8G165WC-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT6AN8T6WBJ1B1 | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,75 | $23,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s | 2400 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS-Latenz | 22 cycles | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BL8) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (case) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Schnittstelle | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| RoHS | — | Compliant |
| Montageart | — | Surface Mount |