NT6AN8T6WBJ1B1 vs K4A8G165WC-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology et K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T6WBJ1B1 | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,75 | $23,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 2400 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latence CAS | 22 cycles | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BL8) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (case) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| RoHS | — | Compliant |
| Type de montage | — | Surface Mount |