NT6AN8T6WBJ1B1 vs K4A8G165WC-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT6AN8T6WBJ1B1 от Nanya Technology и K4A8G165WC-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT6AN8T6WBJ1B1 | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,75 | $23,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb (512M x 16) | — |
| Скорость передачи данных | 3200 MT/s | 2400 Mbps |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Задержка CAS | 22 cycles | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BL8) |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Рабочая температура | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (case) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Интерфейс | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| RoHS | — | Compliant |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |