NT6AN8T6WBJ1B1 vs K4A8G165WC-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT6AN8T6WBJ1B1 제조: Nanya Technology 및 K4A8G165WC-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT6AN8T6WBJ1B1 | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.75 | $23.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (512M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 2400 Mbps |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS 레이턴시 | 22 cycles | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (BL8) |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| 동작 온도 | 0C to +95C (TC) | 0°C to +95°C (case) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| 인터페이스 | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| RoHS | — | Compliant |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |