STB60NF06T4 vs IRF1010ESTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना STB60NF06T4 द्वारा STMicroelectronics और IRF1010ESTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STB60NF06T4 - 60V, 60A N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STB60NF06T4 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | STB60NF06T4 | IRF1010ESTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | STMicroelectronics | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $0.80 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 60 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 240 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 60 nC (typ) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2200 pF (typ) | — |
| Output Capacitance (Coss) | 350 pF (typ) | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 120 pF (typ) | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 300 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | HEXFET planar |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 84 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 200 W |
| On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V | — | 12 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 86.6 nC |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Drive Voltage | — | 10 V (standard level) |
| Qualification | — | JEDEC standard qualified |
| Structure | — | Planar cell (wide SOA) |
| Avalanche Testing | — | 100% avalanche energy tested |
| Sourcing | — | Multi-vendor, broad distribution availability |
| Pb-Free / RoHS | — | PBF (Pb-free) suffix |