STB60NF06T4 vs IRF1010ESTRLPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci STB60NF06T4 disebabkan oleh STMicroelectronics dan IRF1010ESTRLPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF - 60V 84A N-Channel MOSFET | Infineon

IRF1010ESTRLPBF ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr STB60NF06T4 IRF1010ESTRLPBF
Merek STMicroelectronics Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) $0.80 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 60 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 240 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 14 mΩ (typ), 18 mΩ (max) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Charge (Qg) 60 nC (typ) —
Input Capacitance (Ciss) 2200 pF (typ) —
Output Capacitance (Coss) 350 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 120 pF (typ) —
Avalanche Energy (EAS) 300 mJ —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +175°C —
Kemasan D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Boson Bebas Yes —
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET planar
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 84 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 200 W
On-Resistance (RDS on) @ VGS=10V — 12 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 86.6 nC
Operating Mode — Enhancement
Drive Voltage — 10 V (standard level)
Qualification — JEDEC standard qualified
Structure — Planar cell (wide SOA)
Avalanche Testing — 100% avalanche energy tested
Sourcing — Multi-vendor, broad distribution availability
Pb-Free / RoHS — PBF (Pb-free) suffix

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga