W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB-12 von Winbond und K4B4G1646D-BPH90 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,50 | $7,60 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Halogenfrei | Yes | Yes |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Datenrate | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS-Latenz | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |