W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB-12 제조: Winbond 및 K4B4G1646D-BPH90 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.50 | $7.60 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 32M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 데이터 속도 | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |