W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 比較
詳細な並列比較: W634GU6RB-12 メーカー: Winbond および K4B4G1646D-BPH90 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| ブランド | Winbond | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $9.50 | $7.60 |
| メモリタイプ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 32M x 16 |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| パッケージ | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| 動作温度 | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| ピン数 | 96 | — |
| データレート | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CASレイテンシ | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |