W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB-12 por Winbond y K4B4G1646D-BPH90 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,50 | $7,60 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Velocidad de datos | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Latencia CAS | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |