W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB-12 par Winbond et K4B4G1646D-BPH90 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,50 | $7,60 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Débit de données | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Latence CAS | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |