W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB09J von Winbond und NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenrate | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35V |
| CAS-Latenz | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Schnittstelle | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |