W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB09J 제조: Winbond 및 NT5CC256M16DP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.10 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35V |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| 핀 수 | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |