W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de W634GU6RB09J por Winbond y NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Winbond | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35V |
| Latencia CAS | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| Encapsulado | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Interfaz | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Número de pines | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |