W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI Сравнение
Подробное сравнение бок о бок W634GU6RB09J от Winbond и NT5CC256M16DP-DI от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Бренд | Winbond | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Скорость передачи данных | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Напряжение питания | 1.35V | 1.35V |
| Задержка CAS | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| Корпус | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Интерфейс | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Количество выводов | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| Диапазон рабочих температур | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |