W634GU6RB09J vs NT5CC256M16DP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de W634GU6RB09J par Winbond et NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | W634GU6RB09J | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marque | Winbond | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 1066 MHz (DDR3L-2133) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35V |
| Latence CAS | 20 ns | 11, 12, 13 (programmable) |
| Boîtier | 96-VFBGA (7.5x13mm) | VFBGA-96 |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Interface | Parallel | Differential clock (CK, CK#) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Density | — | 4Gb |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |